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EN29F002AT-70JCP

更新时间： 2025-07-28 06:57:15
品牌 Logo 应用领域
EON 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 430K
描述
2 Megabit (256K x 8-bit) Flash Memory

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EN29F002AT-70JCP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

EN29F002AT-70JCP 数据手册

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EN29F002A / EN29F002AN  
EN29F002A / EN29F002AN  
2 Megabit (256K x 8-bit) Flash Memory  
FEATURES  
• 5.0V ± 10% for both read/write operation  
• JEDEC standard  
polling and toggle  
DATA  
bits feature  
• Hardware  
• Read Access Time  
Pin (n/a on EN29F002AN)  
RESET  
- 45ns, 55ns, 70ns, and 90ns  
• Single Sector and Chip Erase  
• Fast Read Access Time  
- 70ns with Cload = 100pF  
- 45ns, 55ns with Cload = 30pF  
• Sector Protection / Temporary Sector  
Unprotect (  
= VID)  
RESET  
• Sector Architecture:  
• Sector Unprotect Mode  
One 16K byte Boot Sector, Two 8K byte  
Parameter Sectors, one 32K byte and  
three 64K byte main Sectors  
• Embedded Erase and Program Algorithms  
• Erase Suspend / Resume modes:  
Read and program another sector during  
Erase Suspend Mode  
• Boot Block Top/Bottom Programming  
Architecture  
• 0.23 µm triple-metal double-poly  
• High performance program/erase speed  
- Byte program time: 10µs typical  
- Sector erase time: 500ms typical  
- Chip erase time: 3.5s typical  
triple-well CMOS Flash Technology  
• Low Vcc write inhibit < 3.2V  
• 100K endurance cycle  
• Package Options  
- 32-pin PDIP  
• Low Standby Current  
- 1µA CMOS standby current-typical  
- 1mA TTL standby current  
- 32-pin PLCC  
• Low Power Active Current  
- 30mA active read current  
- 30mA program / erase current  
- 32-pin TSOP (Type 1)  
• Commercial and Industrial Temperature  
Ranges  
• JEDEC Standard program and erase  
commands  
GENERAL DESCRIPTION  
The EN29F002A / EN29F002AN is a 2-Megabit, electrically erasable, read/write non-volatile flash memory.  
Organized into 256K words with 8 bits per word, the 2M of memory is arranged in seven sectors (with  
top/bottom configuration), including one 16K Byte Boot Sector, two 8K Byte Parameter sectors, and four main  
sectors (one 32K Byte and three 64K Byte). Any byte can be programmed typically at 10µs. The EN29F002A /  
EN29F002AN features 5.0V voltage read and write operation. The access times are as fast as 45ns to  
eliminate the need for WAIT states in high-performance microprocessor systems.  
The EN29F002A / EN29F002AN has separate Output Enable (  
), Chip Enable (  
), and Write  
CE  
OE  
Enable (  
) controls which eliminate bus contention issues. This device is designed to allow  
W E  
either single sector or full chip erase operation, where each sector can be individually protected  
against program/erase operations or temporarily unprotected to erase or program. The device can  
sustain  
a
minimum  
of  
100K  
program/erase  
cycles  
on  
each  
sector.  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
©2003 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
Rev. A, Issue Date: 2003/03/26  
1
or modifications due to changes in technical specifications.  
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EN29F002AT-70JI EON

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 		2 Megabit (256K x 8-bit) Flash Memory
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