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EMD12T2R PDF预览

EMD12T2R

更新时间： 2024-11-30 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
Power management (dual digital transistors)

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EMD12T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-107
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.11其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3/e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN/TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

EMD12T2R 数据手册

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EMD12 / UMD12N  
Transistors  
Power management  
(dual digital transistors)  
EMD12 / UMD12N  
zFeatures  
EMD12  
1) Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT  
package.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
zEquivalent circuit  
(3)  
(2)  
(1)  
ROHM : EMT6  
UMD12N  
Each lead has same dimensions  
R
1
R
2
DTr1  
DTr2  
R2  
R1  
(4)  
(5)  
(6)  
R
R
=47kΩ  
2
1=47kΩ  
1.25  
2.1  
zPackage, marking, and packaging specifications  
0.1Min.  
Type  
Package  
EMD12  
EMT6  
D12  
UMD12N  
UMT6  
D12  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Each lead has same dimensions  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
V
CC  
50  
40  
−10  
Input voltage  
V
IN  
V
I
C
100  
mA  
mA  
Output current  
I
O
30  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
150(TOTAL)  
150  
mW ∗1  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−55  
~
+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
PNP type negative symbols have been omitted  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
VI (off)  
−
3
V
CC=5/−5V, I  
=0.3/−0.3V, I  
=10/−10mA, I  
=5/−5V  
CC=50/−50V, V  
=5/−5mA, V =5/−5V  
CE=10/−10V, I  
O
=100/−100µA  
=2/−2mA  
=0.5/−0.5mA  
Input voltage  
V
I (on)  
V
V
O
O
Output voltage  
Input current  
VO (on)  
−
−
−
0.1  
−
−
0.3  
0.18  
0.5  
−
V
I
O
I
I
I
mA  
µA  
−
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O (off)  
I
=0V  
G
I
68  
−
I
O
O
f
T
−
32.9  
0.8  
250  
47  
1
−
61.1  
MHz  
kΩ  
−
V
E
=−5/5mA, f=100MHz  
∗
R1  
−
−
R2 / R1  
1.2  
∗Transition frequency of the device. PNP type negative symbols have been omitted  
Rev.A  
1/3  
1234

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EMD12T2R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DCX144EH-7 DIODES

功能相似

 COMPLEMENTARY NPN/PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与EMD12T2R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EMD14N10E EXCELLIANCE

获取价格

 		TO220-3
EMD16 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
EMD16 YANGJIE

获取价格

 		SOT-563
EMD16N08E EXCELLIANCE

获取价格

 		TO220-3
EMD16N08H EXCELLIANCE

获取价格

 		EDFN5X6
EMD1S RECTRON

获取价格

 		SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI SUPER FAST SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
EMD1S_02 RECTRON

获取价格

 		SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI SUPER FAST SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
EMD1S-T RECTRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
EMD1S-W RECTRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MD-S,
EMD2 HTSEMI

获取价格

 		General purpose transistors (dual transistors)

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