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EMC04MS08M01-045D

更新时间: 2024-11-20 21:19:15
品牌 Logo 应用领域
ELMOS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
SRAM Module, 512KX8, 45ns, Hybrid, CDIP32

EMC04MS08M01-045D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:HYBRID
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EMC04MS08M01-045D 数据手册

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