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EMC04MS08M03-100D

更新时间: 2024-11-19 06:54:35
品牌 Logo 应用领域
ELMOS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
SRAM Module, 512KX8, 100ns, Hybrid, PDIP32

EMC04MS08M03-100D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.14 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:HYBRID温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EMC04MS08M03-100D 数据手册

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