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EM411M822VTA

更新时间: 2024-11-07 06:56:51
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 823K
描述
16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM

EM411M822VTA 数据手册

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16Mb SDRAM  
Ordering Information  
EM 48 1M 16 2 2 V T A – 6 L  
EOREX  
Memory  
Power  
EDO/FPM  
: 40  
: 41  
: 42  
: 43  
: 46  
: 48  
Blank : Standard  
L : Low power  
I : Industrial  
D-RAMBUS  
DDRSDRAM  
DDRSGRAM  
SGRAM  
F: PB free package  
SDRAM  
Density  
16M : 16 Mega Bits  
8M : 8 Mega Bits  
4M : 4 Mega Bits  
2M : 2 Mega Bits  
1M : 1 Mega Bit  
Min Cycle Time ( Max Freq.)  
-5 : 5ns ( 200MHz )  
-6 : 6ns ( 167MHz )  
-7 : 7ns ( 143MHz )  
-75 : 7.5ns ( 133MHz )  
-8 : 8ns ( 125MHz )  
-10 : 10ns ( 100MHz )  
Organization  
8 : x8  
9 : x9  
16 : x16  
18 : x18  
32 : x32  
Refresh  
1 : 1K, 8 : 8K  
2 : 2K, 6 :16K  
4 : 4K  
Bank  
Revision  
A : 1st B : 2nd  
C : 3rd D :4th  
2 : 2Bank 6 : 16Bank  
4 : 4Bank 3 : 32Bank  
8 : 8Bank  
Package  
Interface  
V: 3.3V  
R: 2.5V  
C: CSP B: uBGA  
T: TSOP Q: TQFP  
P: PQFP ( QFP )  
1/18  
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