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EH15006Q-

更新时间: 2024-01-29 10:21:20
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 150A, 600V V(RRM), Silicon, MODULE-4

EH15006Q- 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XUFM-X4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.92
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
最大非重复峰值正向电流:1600 A元件数量:6
相数:3端子数量:4
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:150 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EH15006Q- 数据手册

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