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EGF1D PDF预览

EGF1D

更新时间： 2024-02-24 04:24:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Fast Rectifiers (Glass Passivated)

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EGF1D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214BA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214BA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1300 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EGF1D 数据手册

 浏览型号EGF1D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EGF1D的Datasheet PDF文件第3页 
EGF1A - EGF1D  
Features  
• Low forward voltage drop.  
• Low profile package.  
• Fast switching for high efficiency.  
SMA/DO-214AC  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
Fast Rectifiers (Glass Passivated)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
Parameter  
Units  
1A  
1B  
1C  
1D  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
50  
100  
150  
200  
V
A
Average Rectified Forward Current, @ TL = 100°C  
1.0  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
30  
A
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
-65 to +175  
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
2.0  
85  
30  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
Thermal Resistance, Junction to Lead*  
RθJA  
RθJL  
°C/W  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Device  
Symbol  
Parameter  
Units  
1A  
1B  
1C  
1D  
VF  
trr  
Forward Voltage @ 1.0 A  
Reverse Recovery Time  
1.0  
50  
V
ns  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A  
IR  
10  
100  
A
µ
µA  
Reverse Current @ rated VR  
T = 25 C  
TA = 100°C  
°
A
CT  
Total Capacitance  
15  
pF  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
EGF1A-EGF1D, Rev. D  
123

中文翻译

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EGF1D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
US1D-E3/5AT VISHAY

功能相似

 DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Si
US1D-E3/61T VISHAY

功能相似

 DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Si

与EGF1D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGF1DE3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
EGF1D-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
EGF1D-E3/2KA VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, G
EGF1D-E3/5CA VISHAY

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 		Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier
EGF1D-E3/67A VISHAY

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 		Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier
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EGF1DHE3/5CA VISHAY

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EGF1G TSC

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