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EGF1D-E3/5CA

更新时间： 2024-01-05 18:59:11
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

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EGF1D-E3/5CA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-214BA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.38其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-214BAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：250
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

EGF1D-E3/5CA 数据手册

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EGF1A thru EGF1D  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Ideal for automated placement  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 250 °C  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by patent  
No. 3,996,602, brazed-lead  
DO-214BA (GF1)  
assembly by Patent No. 3,930,306  
and lead forming by Patent No. 5,151,846  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and  
freewheeling application in switching mode converters  
and inverters for consumer, computer, automotive and  
telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V to 200 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214BA, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
50 ns  
VF  
1.0 V  
TJ max.  
175 °C  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
EGF1A  
EA  
EGF1B  
EB  
EGF1C  
EC  
EGF1D  
ED  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
100  
70  
150  
200  
V
V
V
A
35  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL = 125 °C  
50  
100  
150  
200  
IF(AV)  
1.0  
30  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Document Number: 88579  
Revision: 27-Aug-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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EGF1D-E3/5CA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
EGF1DHE3/67A VISHAY

完全替代

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