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Datasheet > 传感器/换能器 > 线性位置传感器> EE-SY313
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EE-SY313

更新时间： 2024-11-24 06:56:07
品牌 Logo 应用领域
欧姆龙 - OMRON 光电传感器换能器线性位置传感器
页数 文件大小 规格书
4页 216K
描述
Photomicrosensor (Reflective)

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EE-SY313 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：CMOS COMPATIBLE, TTL COMPATIBLE主体宽度：6.2 mm
主体高度：6 mm主体长度或直径：12 mm
最大测量范围（毫米）：4.4 mm最小测量范围（毫米）：4.4 mm
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最大工作电流：20 mA
最高工作温度：65 °C最低工作温度：-40 °C
输出范围：0.40-15V输出类型：ANALOG VOLTAGE
封装形状/形式：RECTANGULAR响应时间：3 µs
传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE最大供电电压：16 V
最小供电电压：4.5 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

EE-SY313 数据手册

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Photomicrosensor (Reflective)  
EE-SY313/-SY413  
I Dimensions  
Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.  
I Features  
• Incorporates an IC chip with a built-in detector element and amplifier.  
• Incorporates a detector element with a built-in temperature com-  
pensation circuit.  
• Compact reflective Photomicrosensor (EE-SY310/-SY410) with a  
molded housing and a dust-tight cover.  
Five, 0.5  
• A wide supply voltage range: 4.5 to 16 VDC  
• Directly connects with C-MOS and TTL.  
• Dark ON model (EE-SY313); Light ON model (EE-SY413)  
• RoHS Compliant.  
I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Forward current  
Reverse voltage  
Symbol  
IF  
Rated value  
50 mA (see note 1)  
4 V  
Emitter  
VR  
Pulse forward current IFP  
Power supply voltage VCC  
1 A (see note 2)  
16 V  
Detector  
15 to 18  
17 to 24  
Output voltage  
Output current  
VOUT  
IOUT  
28 V  
16 mA  
Permissible output POUT  
dissipation  
250 mW  
(see note 1)  
Internal Circuit  
A
K
V
Ambient  
temperature  
Operating  
Storage  
Topr  
Tstg  
Tsol  
–40°C to 65°C  
–40°C to 85°C  
260°C (see note 3)  
O
Unless otherwise specified, the  
tolerances are as shown below.  
Soldering temperature  
G
Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-  
ature exceeds 25°C.  
Dimensions  
Tolerance  
Terminal No.  
Name  
Anode  
Cathode  
A
K
3 mm max.  
0.3  
2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.  
3. Complete soldering within 10 seconds.  
3
6
<
<
mm  
mm  
≤
≤
6
0.375  
0.45  
V
Power supply  
(Vcc)  
10  
I Ordering Information  
10  
18  
<
mm  
mm  
≤
18  
30  
0.55  
0.65  
O
G
Output (OUT)  
Ground (GND)  
Description  
Model  
Dark ON EE-SY313  
Light ON EE-SY413  
<
≤
Photomicrosensor (reflective)  
I Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VF  
IR  
Value  
Condition  
Emitter  
Forward voltage  
Reverse current  
1.2 V typ., 1.5 V max.  
0.01 µA typ., 10 µA max.  
920 nm typ.  
IF = 20 mA  
VR = 4 VD  
IF = 20 mA  
Peak emission wavelength λP  
Detector Low-level output voltage  
High-level output voltage  
Current consumption  
VOL  
0.12 V typ., 0.4 V max.  
Vcc = 4.5 to 16 V, IOL = 16 mA, without incident light (EE-  
SY313), with incident light (EE-SY413) (see notes 1 and 2)  
Vcc = 16 V, RL = 1 kΩ, with incident light (EE-SY313), without  
incident light (EE-SY413) (see notes 1 and 2)  
Vcc = 16 V  
VOH  
15 V min.  
ICC  
3.2 mA typ., 10 mA max.  
870 nm typ.  
Peak spectral sensitivity  
wavelength  
λP  
VCC = 4.5 to 16 V  
LED current when output is OFF  
LED current when output is ON  
Hysteresis  
IFT  
10 mA typ., 20 mA max.  
VCC = 4.5 to 16 V  
∆H  
17% typ.  
VCC = 4.5 to 16 V  
Response frequency  
f
50 pps min.  
3 µs typ.  
20 µs typ.  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 20 mA, IOL = 16 mA  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 20 mA, IOL = 16 mA  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 20 mA, IOL = 16 mA  
Response delay time  
Response delay time  
tPLH (tPHL  
)
)
tPHL (tPLH  
320  
Photomicrosensor (Reflective) EE-SY313/-SY413  
1234

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