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EE-SY410

更新时间： 2024-11-24 06:56:07
品牌 Logo 应用领域
欧姆龙 - OMRON 光电
页数 文件大小 规格书
4页 217K
描述
Photomicrosensor (Reflective)

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EE-SY410 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：1.78其他特性：CMOS COMPATIBLE, TTL COMPATIBLE
主体宽度：4.6 mm主体高度：4.8 mm
主体长度或直径：12 mm最大测量范围（毫米）：5 mm
最小测量范围（毫米）：5 mm安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最大工作电流：20 mA最高工作温度：75 °C
最低工作温度：-40 °C输出范围：0.40-15V
输出类型：ANALOG VOLTAGE封装形状/形式：RECTANGULAR
响应时间：3 µs传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
最大供电电压：1.5 V最小供电电压：2 V
表面贴装：NO端接类型：SOLDER
Base Number Matches：1

EE-SY410 数据手册

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Photomicrosensor (Reflective)  
EE-SY310/-SY410  
I Dimensions  
Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.  
I Features  
• Incorporates an IC chip with a built-in detector element and amplifier.  
• Incorporates a detector element with a built-in temperature com-  
pensation circuit.  
• Compact reflective model with a molded housing.  
• A wide supply voltage range: 4.5 to 16 VDC  
• Directly connects with C-MOS and TTL.  
• Dark ON model (EE-SY310)  
Five, 0.5  
+0.2  
−0.3  
4.6  
• Light ON model (EE-SY410)  
• RoHS Compliant.  
Two. R1.5  
Two. R2  
I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Forward current  
Reverse voltage  
Symbol  
IF  
Rated value  
50 mA (see note 1)  
4 V  
Five, 0.3  
Emitter  
VR  
Pulse forward current IFP  
Power supply voltage VCC  
1 A (see note 2)  
16 V  
15 to 18  
17 to 24  
Detector  
Output voltage  
Output current  
VOUT  
IOUT  
28 V  
16 mA  
Permissible output  
dissipation  
Operating  
Storage  
POUT  
250 mW  
(see note 1)  
–40°C to 75°C  
–40°C to 85°C  
Internal Circuit  
A
K
V
Ambient  
temperature  
Topr  
Tstg  
Tsol  
O
Unless otherwise specified, the  
tolerances are as shown below.  
G
Soldering temperature  
260°C (see note 3)  
Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-  
ature exceeds 25°C.  
Terminal No.  
Name  
Dimensions  
Tolerance  
A
K
V
Anode  
3 mm max.  
0.2  
2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.  
3. Complete soldering within 10 seconds.Ordering Information  
Cathode  
3 < mm ≤ 6  
6 < mm ≤ 10  
0.24  
0.29  
Power supply  
(Vcc)  
I Ordering Information  
10 < mm ≤ 18  
18 < mm ≤ 30  
0.35  
0.42  
O
G
Output (OUT)  
Ground (GND)  
Description  
Model  
Dark ON EE-SY310  
Light ON EE-SY410  
Photomicrosensor (reflective)  
I Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Forward voltage  
Reverse current  
Symbol  
VF  
IR  
Value  
1.2 V typ., 1.5 V max.  
0.01 µA typ., 10 µA max.  
920 nm typ.  
Condition  
Emitter  
IF = 20 mA  
VR = 4 V  
Peak emission wavelength λP  
Low-level output voltage VOL  
IF = 20 mA  
Detector  
0.12 V typ., 0.4 V max.  
Vcc = 4.5 to 16 V, IOL = 16 mA,  
without incident light (EE-SY310), with incident light  
(EE-SY410) (see notes 1 and 2)  
High-level output voltage VOH  
15 V min.  
Vcc = 16 V, RL = 1 kΩ,  
with incident light (EE-SY310), without incident light  
(EE-SY410) (see notes 1 and 2)  
Current consumption  
ICC  
3.2 mA typ., 10 mA max.  
870 nm typ.  
Vcc = 16 V  
Peak spectral sensitivity  
wavelength  
λP  
VCC = 4.5 to 16 V  
LED current when output is OFF  
LED current when output is ON  
Hysteresis  
IFT  
6 mA typ., 15 mA max.  
VCC = 4.5 to 16 V  
∆H  
f
17% typ.  
50 Hz min.  
3 µs typ.  
VCC = 4.5 to 16 V  
Response frequency  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 15 mA, IOL = 16 mA  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 15 mA, IOL = 16 mA  
VCC = 4.5 to 16 V, IF = 15 mA, IOL = 16 mA  
Response delay time  
Response delay time  
t
t
PLH (tPHL  
)
)
PHL (tPLH  
20 µs typ.  
328  
Photomicrosensor (Reflective) EE-SY310/-SY410  
1234

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