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EDS5116ABTA-6B

更新时间： 2025-08-11 22:34:19
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器
页数 文件大小 规格书
52页 558K
描述
512M bits SDRAM

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EDS5116ABTA-6B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.28
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm

EDS5116ABTA-6B 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
512M bits SDRAM  
EDS5104ABTA (128M words × 4 bits)  
EDS5108ABTA (64M words × 8 bits)  
EDS5116ABTA (32M words × 16 bits)  
Pin Configurations  
Description  
The EDS5104AB is a 512M bits SDRAM organized as  
33,554,432 words × 4 bits × 4 banks. The EDS5108AB  
is a 512M bits SDRAM organized as 16,777,216 words  
× 8 bits × 4 banks. The EDS5116AB is a 512M bits  
SDRAM organized as 8,388,608 words × 16 bits × 4  
banks. All inputs and outputs are referred to the rising  
edge of the clock input. It is packaged in standard 54-  
pin plastic TSOP (II).  
/xxx indicates active low signal.  
54-pin TSOP  
VDD VDD VDD  
NC DQ0 DQ0  
VDDQ VDDQ VDDQ  
VSS VSS VSS  
DQ15 DQ7 NC  
VSSQ VSSQ VSSQ  
DQ14 NC NC  
DQ13 DQ6 DQ3  
VDDQ VDDQ VDDQ  
DQ12 NC NC  
DQ11 DQ5 NC  
VSSQ VSSQ VSSQ  
DQ10 NC NC  
DQ9 DQ4 DQ2  
VDDQ VDDQ VDDQ  
DQ8 NC NC  
VSS VSS VSS  
1
2
3
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
NC  
NC DQ1  
4
DQ0 DQ1 DQ2  
VSSQ VSSQ VSSQ  
5
6
NC  
NC DQ3  
7
NC DQ2 DQ4  
8
VDDQ VDDQ VDDQ  
9
Features  
NC  
NC DQ5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
DQ1 DQ3 DQ6  
VSSQ VSSQ VSSQ  
NC  
VDD VDD VDD  
NC NC LDQM  
/WE /WE /WE  
/CAS /CAS /CAS  
/RAS /RAS /RAS  
• 3.3V power supply  
• Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)  
• LVTTL interface  
NC DQ7  
NC  
NC NC  
UDQM DQM DQM  
CLK CLK CLK  
CKE CKE CKE  
A12 A12 A12  
A11 A11 A11  
• Single pulsed /RAS  
• 4 banks can operate simultaneously and  
independently  
/CS /CS  
/CS  
BA0 BA0 BA0  
BA1 BA1 BA1  
A10 A10 A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
• Burst read/write operation and burst read/single write  
operation capability  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A0  
A1  
A2  
A3  
A0  
A1  
A2  
A3  
• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, full page  
• 2 variations of burst sequence  
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)  
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)  
VDD VDD VDD  
VSS VSS VSS  
X 16  
X 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3  
• Byte control by DQM  
: DQM (EDS5104AB, EDS5108AB)  
: UDQM, LDQM (EDS5116AB)  
X 4  
(Top view)  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
• 2 variations of refresh  
Auto refresh  
A0 to A12, Address input  
BA0, BA1 Bank select address  
DQ0 to DQ15 Data-input/output  
DQM Input/output mask  
CKE Clock enable  
CLK Clock input  
VDD Power for internal circuit  
VSS Ground for internal circuit  
/CS  
Chip select  
Self refresh  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe  
Column address strobe VDDQ Power for DQ circuit  
Write enable VSSQ Ground for DQ circuit  
NC  
No connection  
Document No. E0250E10 (Ver. 1.0)  
Date Published March 2002 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2002  
1234567...52

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与EDS5116ABTA-6B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDS5116ABTA-6B-E ELPIDA

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 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
EDS5116ABTA-75 ELPIDA

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 		512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-75-E ELPIDA

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
EDS5116ABTA-7A ELPIDA

获取价格

 		512M bits SDRAM
EDS51321CBH-6DTT-M-F ELPIDA

获取价格

 		Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90
EDS51321CBH-7BTT-M-F ELPIDA

获取价格

 		Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90
EDS51321DBH-6DTS-F ELPIDA

获取价格

 		512M bits Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature R
EDS51321DBH-7BTS-F ELPIDA

获取价格

 		512M bits Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature R
EDS51321DBH-TS ELPIDA

获取价格

 		512M bits Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature R
EDS51323DBH-6DLS-F ELPIDA

获取价格

 		Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90

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