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EDI8G321024C20MNC PDF预览

EDI8G321024C20MNC

更新时间： 2024-01-04 02:03:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, PSMA72

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EDI8G321024C20MNC 技术参数

生命周期：Active包装说明：SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PSMA-N72内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：SRAM MODULE内存宽度：32
端子数量：72字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SIMM
封装等效代码：SSIM72封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.08 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：1.88 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

EDI8G321024C20MNC 数据手册

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EDI8F321024C  
White Electronic Designs  
1024Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The EDI8F321024C is a high speed 32 megabit Static RAM  
module organized as 1024K words by 32 bits. This module  
is constructed from eight 1024Kx4 Static RAMs in SOJ  
packages on an epoxy laminate (FR4) board.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1024Kx32 bit CMOS Static RAM  
ꢀAccess Times: 20, and 25ns  
ꢀIndividual Byte Selects  
ꢀFully Static, No Clocks  
Four chip enables (EØ#-E3#) are used to independently  
enable the four bytes. Reading or writing can be executed  
on individual bytes or any combination of multiple bytes  
through proper use of selects.  
ꢀTTL Compatible I/O  
High Density Package  
ꢀ72 Pin ZIP, No. 175  
The EDI8F321024C is offered in 72 pin ZIP and 72 lead  
SIMM packages, which enable 32 megabits of memory to  
be placed in less than 1.3 square inches of board space.  
ꢀ72 lead SIMM, No. 176 (Angle)  
ꢀ72 lead SIMM, No. 356 (Straight)  
ꢀCommon Data Inputs and Outputs  
Single +5V (±10%) Supply Operation  
All inputs and outputs are TTL compatible and operate from  
a single 5V supply. Fully asynchronous circuitry requires  
no clocks or refreshing for operation and provides equal  
access and cycle times for ease of use.  
*This product is subject to change without notice.  
Pins PD1- PD4, are used to identify module memory  
density in applications where alternate modules can be  
interchanged.  
PIN NAMES  
FIG. 1 PIN CONFIGURATIONS AND BLOCK DIAGRAM  
A0-A19  
E0#-E3#  
W#  
G#  
DQ0-DQ31  
VCC  
Address Inputs  
Chip Enables  
Write Enable  
Output Enable  
Common Data Input/Output  
Power (+5V±10%)  
Ground  
9
9
9
VSS  
NC  
No Connection  
9
#
A0-A19  
W#  
#
#
#
G#  
#
9
1 Meg  
X 4  
1 Meg  
X 4  
#
DQ0-DQ3  
DQ4-DQ7  
E0#  
E1#  
E2#  
E3#  
9
9
1 Meg  
X 4  
1 Meg  
X 4  
DQ8-DQ11  
DQ16-DQ19  
DQ24-DQ27  
DQ12-DQ15  
DQ20-DQ23  
DQ28-DQ31  
9
1 Meg  
X 4  
1 Meg  
X 4  
9
9
9
1 Meg  
X 4  
1 Meg  
X 4  
PD0 AND PD2 = GROUND  
PD1 AND PD3 = OPEN  
8F321024C Pin Config.  
8F321024C Blk Dia.  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
February 2008  
Rev. 9A  
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
123456

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与EDI8G321024C20MNC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8G321024C20MZC MICROSEMI

获取价格

 		SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, PZIP72,
EDI8G321024C25MMC MICROSEMI

获取价格

 		SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS, SIMM-72
EDI8G321024C25MNC ETC

获取价格

 		x32 SRAM Module
EDI8G321024C25MZC MICROSEMI

获取价格

 		SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS, PZIP72,
EDI8G321024C35MMC WEDC

获取价格

 		SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,
EDI8G321024C35MNC WEDC

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 		SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,
EDI8G321024CA12MMC ETC

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 		x32 SRAM Module
EDI8G321024CA12MNC ETC

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 		x32 SRAM Module
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 		x32 SRAM Module
EDI8G321024CA15MNC ETC

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 		x32 SRAM Module

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