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EDI8G321024V12MNC

更新时间: 2024-01-12 10:44:41
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, PSMA72,

EDI8G321024V12MNC 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最长访问时间:12 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.08 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.28 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

EDI8G321024V12MNC 数据手册

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