5秒后页面跳转
EDI8G32128B10MMC PDF预览

EDI8G32128B10MMC

更新时间: 2024-01-26 23:33:32
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 321K
描述
SRAM Module, 128KX32, 10ns, PSMA64,

EDI8G32128B10MMC 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8最长访问时间:10 ns
其他特性:CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N64内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:64
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM64
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.04 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.68 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

EDI8G32128B10MMC 数据手册

 浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDI8G32128B10MMC的Datasheet PDF文件第7页