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EDI8G321024V20MZC

更新时间: 2024-02-18 01:15:21
品牌 Logo 应用领域
WEDC 输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, PZIP72,

EDI8G321024V20MZC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PZIP-T72
JESD-609代码:e0内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP72/76,.1,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.08 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.28 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

EDI8G321024V20MZC 数据手册

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