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EDI8F3265C25MZI

更新时间: 2024-01-15 15:37:25
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 307K
描述
x32 SRAM Module

EDI8F3265C25MZI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:25 ns其他特性:CONFIGURABLE AS 64K X 32
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XZMA-T64
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:64字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX32输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP64/68,.1,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:14.732 mm最大待机电流:0.16 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.98 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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