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EDI8F3265C35MMI

更新时间: 2024-02-11 22:56:55
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 307K
描述
x32 SRAM Module

EDI8F3265C35MMI 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PZIP-T64
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32端子数量:64
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP64/68,.1,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:14.732 mm
最大待机电流:0.16 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.98 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

EDI8F3265C35MMI 数据手册

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