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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP-36 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T36 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP36,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00013 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8F81025LP85B6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| EDI8F81026C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
|
| EDI8F81026C20M6C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
|
| EDI8F81026C20M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 20ns, CMOS, DIP-36 |
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| EDI8F81026C25M6C | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 25ns, CMOS, DIP-36 |
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| EDI8F81026C25M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 25ns, CMOS, DIP-36 |
|
| EDI8F81026C35M6C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
|
| EDI8F81026C35M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 35ns, CMOS, DIP-36 |
|
| EDI8F81026C85M6C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
|
| EDI8F81027C100B6C | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, DIP-32 |
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