生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 20 ns |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T36 | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8F81026C25M6C | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 25ns, CMOS, DIP-36 |
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EDI8F81026C25M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 25ns, CMOS, DIP-36 |
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EDI8F81026C35M6C | ETC |
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1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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EDI8F81026C35M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 35ns, CMOS, DIP-36 |
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EDI8F81026C85M6C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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EDI8F81027C100B6C | WEDC |
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SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, DIP-32 |
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EDI8F81027C100B6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, DIP-32 |
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EDI8F81027C55B6C | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 55ns, CMOS, DIP-32 |
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EDI8F81027C55B6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 55ns, CMOS, DIP-32 |
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EDI8F81027C70B6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, DIP-32 |
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