是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP-36 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.85 | 最长访问时间: | 85 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-T36 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP36,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8F81025C85B6I | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP100B6C | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP100B6I | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP70B6C | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP70B6I | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP85B6C | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81025LP85B6I | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8F81026C | ETC |
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1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE | |
EDI8F81026C20M6C | ETC |
获取价格 |
1Mx8 STATIC RAM CMOS, MODULE | |
EDI8F81026C20M6I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 20ns, CMOS, DIP-36 |