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EDI8F3264C20M6C

更新时间: 2024-01-04 05:32:11
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 381K
描述
x32 SRAM Module

EDI8F3264C20M6C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T60JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32端子数量:60
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX32
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP60,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.08 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.2 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI8F3264C20M6C 数据手册

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