是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T60 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 端子数量: | 60 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP60,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.08 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.2 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8F3264C25M6C | ETC |
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x32 SRAM Module | |
EDI8F3264C35M6C | ETC |
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x32 SRAM Module | |
EDI8F3265C12MNC | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 12ns, CMOS, ANGLED, SIMM-64 | |
EDI8F3265C12MZI | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 12ns, CMOS, ZIP-64 | |
EDI8F3265C15MMC | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 15ns, CMOS, STRAIGHT, SIMM-64 | |
EDI8F3265C15MMI | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 15ns, CMOS, STRAIGHT, SIMM-64 | |
EDI8F3265C20MMC | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 20ns, CMOS, STRAIGHT, SIMM-64 | |
EDI8F3265C20MMI | WEDC |
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SRAM Module, 64KX32, 20ns, CMOS, STRAIGHT, SIMM-64 | |
EDI8F3265C20MNC | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-64 | |
EDI8F3265C20MNI | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-64 |