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EDI84256CS35TI

更新时间: 2024-02-04 00:04:35
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 496K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28,

EDI84256CS35TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI84256CS35TI 数据手册

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