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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI84256CS35TB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| EDI84256CS35TI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28, |
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| EDI84256CS45LB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDSO28, |
|
| EDI84256CS45NB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDSO28, |
|
| EDI84256CS45TB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP28, |
|
| EDI84256CS55LB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| EDI84256CS55NB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDSO28, |
|
| EDI84256CS55TB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, |
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| EDI84256LPS25LB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, CDSO28, |
|
| EDI84256LPS25NB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, CDSO28, |
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