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EC745N65AFR

更新时间： 2024-01-03 17:15:49

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描述
650V,5A N-Channel Power MOSFET

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EC745N65AFR 数据手册

EC745N65

650V,5A N-Channel Power MOSFET

Features

◆ 650V, 5A, R_DS(ON)(Max.) = 2.3Ω @ VGS = 10V

◆ Low Crss

◆ Fast Switching

◆ 100 % Avalanche Tested

Applications

Charger

STB

Open Framed Power Supply

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C unless otherwise noted)

Limit

Symbol

Unit

Parameter

TO-220 TO-220F

650

Drain-Source Voltage ^a

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

 30

Drain Current-Continuous, TC =25℃

Drain Current-Continuous, TC =100 ℃

Drain Current-Pulsed ^b

IDM

V/ns

℃

104

Maximum Power Dissipation @ TJ =25 ℃

Single Pulsed Avalanche Energy ^e

Peak Diode Recovery dv/dt ^c

143

4.5

EAS

dv/dt

-55 to 150

Operating and Store Temperature Range

TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-Case Max.

Thermal Resistance, Junction-Ambient Max.

1.2

3.6

℃/W



℃/W

E-CMOS Corp. (www.ecmos.com.tw)

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4J06N-Rev.F001

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