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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SODIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX | 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| 长度： | 67.6 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 30 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.16 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2.84 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3.8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EBE21UE8AESA-6E-F | ELPIDA | 2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| EBE21UE8AESA-8G-E | ELPIDA | 2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| EBE21UE8AESA-8G-F | ELPIDA | 2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| EBE21UE8AEWA | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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| EBE21UE8AEWA-6E-E | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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| EBE21UE8AEWA-8G-E | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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