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EBE21UE8ACWA-8G-E

更新时间： 2024-01-22 15:26:30

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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29页	237K
描述
2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE21UE8ACWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	内存密度：	17179869184 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.16 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	3.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBE21UE8ACWA-8G-E 数据手册

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EBE21UE8ACWA

Pin Description

Pin name

Function

Address input

Row address

Column address

A0 to A13

A0 to A9

A10 (AP)

Auto precharge

BA0, BA1, BA2

Bank select address

Data input/output

DQ0 to DQ63

/RAS

Row address strobe command

Column address strobe command

Write enable

/CAS

/WE

/CS0, /CS1

Chip select

CKE0, CKE1

Clock enable

CK0 to CK2

Clock input

/CK0 to /CK2

Differential clock input

Input and output data strobe

Input mask

DQS0 to DQS7, /DQS0 to /DQS7

DM0 to DM7

SCL

Clock input for serial PD

Data input/output for serial PD

Serial address input

Power for internal circuit

Power for serial EEPROM

Input reference voltage

Ground

SDA

SA0 to SA2

VDD

VDDSPD

VREF

VSS

ODT0, ODT1

ODT control

No connection

Data Sheet E1213E10 (Ver. 1.0)

1 2 345 6 7...29

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