Datasheet > 存储 > DRAM> EBE21RD4ABHA-5C-E

EBE21RD4ABHA-5C-E

更新时间： 2024-02-07 13:29:15

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尔必达 - ELPIDA		内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE21RD4ABHA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
内存密度：	19327352832 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.98 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	8.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBE21RD4ABHA-5C-E 数据手册

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EBE21RD4ABHA

Differential Clock Net Wiring (CK0, /CK0)

0ns (nominal)

SDRAM

stack

PLL

120Ω

OUT1

SDRAM

stack

120Ω

CK0

/CK0

240Ω

120Ω

OUT'N'

Feedback in

Feedback out

240Ω

Notes: 1. The clock delay from the input of the PLL clock to the input of any SDRAM or register willl

be set to 0ns (nominal).

2. Input, output and feedback clock lines are terminated from line to line as shown, and not

from line to ground.

3. Only one PLL output is shown per output type. Any additional PLL outputs will be wired

in a similar manner.

4. Termination resistors for the PLL feedback path clocks are located as close to the

input pin of the PLL as possible.

Data Sheet E0451E20 (Ver. 2.0)

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