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EBE21RD4ABHA-5C-E

更新时间： 2024-01-13 00:35:42
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 173K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE21RD4ABHA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：267 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：19327352832 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：268435456 words字数代码：256000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：256MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.98 A
子类别：DRAMs最大压摆率：8.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE21RD4ABHA-5C-E 数据手册

 浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBE21RD4ABHA-5C-E的Datasheet PDF文件第9页 
EBE21RD4ABHA  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
1GB  
31  
Module rank density  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
01H  
25H  
35H  
38H  
48H  
10H  
Address and command setup time  
32  
before clock (tIS)  
-5C  
0.25ns*1  
0.35ns*1  
0.38ns*1  
0.48ns*1  
0.10ns*1  
-4A  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-5C  
33  
-4A  
Data input setup time before clock  
34  
35  
(tDS)  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
1
1
1
15H  
23H  
0.15ns*1  
0.23ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
28H  
3CH  
0.28ns*1  
15ns*1  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
-5C  
0
0
0
1
1
1
1
0
1EH  
7.5ns*1  
-4A  
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
28H  
1EH  
10ns*1  
7.5ns*1  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
39  
40  
41  
Memory analysis probe characteristics 0  
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
00H  
00H  
3CH  
TBD  
Extension of Byte 41 and 42  
Active command period (tRC)  
0
0
Undefined  
60ns*1  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
42  
43  
44  
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
0
69H  
80H  
1EH  
23H  
28H  
105ns*1  
8ns*1  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-5C  
0.30ns*1  
0.35ns*1  
0.40ns*1  
-4A  
Data hold skew (tQHS)  
-5C  
45  
-4A  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
2DH  
0FH  
00H  
10H  
0.45ns*1  
46  
PLL relock time  
15µs  
47 to 61  
62  
SPD Revision  
Rev. 1.0  
Checksum for bytes 0 to 62  
-5C  
63  
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
1
8CH  
10H  
7FH  
-4A  
Continuation  
code  
64 to 65  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
66  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
FEH  
00H  
Elpida Memory  
67 to 71  
(ASCII-8bit  
code)  
72  
Manufacturing location  
×
×
×
×
×
×
×
×
××  
Data Sheet E0451E20 (Ver. 2.0)  
6
1...3456789...22

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与EBE21RD4ABHA-5C-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE21RD4AEFA ELPIDA 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE21RD4AEFA-4A-E ELPIDA 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (256M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE21RD4AEFA-6 ELPIDA 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE21RD4AEFA-6E-E ELPIDA 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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