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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 267 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 |
| 内存密度： | 8589934592 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.16 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 3.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EBE11UD8AESA-6E-E | ELPIDA | 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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| EBE11UD8AGFA | ELPIDA | 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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| EBE11UD8AGFA-4A-E | ELPIDA | 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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| EBE11UD8AGFA-5C-E | ELPIDA | 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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| EBE11UD8AGFA-6E-E | ELPIDA | 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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| EBE11UD8AGSA | ELPIDA | 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks) |
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