5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11UD8AESA-5C-E
EBE11UD8AESA-5C-E PDF预览

EBE11UD8AESA-5C-E

更新时间： 2024-01-02 15:48:49
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 210K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

阅读下载

获取价格

EBE11UD8AESA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：267 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N200
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：200
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM200,24
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.16 A
子类别：DRAMs最大压摆率：3.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：0.6 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE11UD8AESA-5C-E 数据手册

 浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBE11UD8AESA-5C-E的Datasheet PDF文件第8页 
EBE11UD8AESA  
Serial PD Matrix  
Hex  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 value  
Comments  
128 bytes  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
device  
256 bytes  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
08H  
0EH  
0AH  
61H  
40H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
10  
2
64  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = 5  
9
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
3.0ns*1  
-6E  
-5C  
-4A  
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
3DH  
50H  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
SDRAM access from clock (tAC)  
-6E  
10  
0
1
0
0
0
1
0
1
45H  
0.45ns*1  
-5C  
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
60H  
00H  
82H  
08H  
00H  
00H  
0.5ns*1  
0.6ns*1  
None.  
7.8µs  
× 8  
-4A  
11  
12  
13  
14  
15  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
None.  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
19  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0CH  
04H  
38H  
01H  
4,8  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
4
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
3, 4, 5  
DIMM Mechanical Characteristics  
-6E  
3.80mm max.  
-5C, -4A (Reserved)  
DIMM type information  
SDRAM module attributes  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
00H  
04H  
00H  
0
20  
21  
SO-DIMM  
Normal  
SDRAM device attributes: General  
-6E  
Weak Driver  
50Ω ODT Support  
22  
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
03H  
01H  
3DH  
50H  
-5C, -4A  
Weak Driver  
3.75ns*1  
Minimum clock cycle time at CL = 4  
-6E, -5C  
23  
-4A  
5.0ns*1  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 4  
24  
0
1
0
1
0
0
0
0
50H  
0.5ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
50H  
0.6ns*1  
5.0ns*1  
25  
26  
Minimum clock cycle time at CL = 3  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 3  
0
1
1
0
0
0
0
0
60H  
0.6ns*1  
Data Sheet E0589E30 (Ver. 3.0)  
5
12345678...22

下载PDF

与EBE11UD8AESA-5C-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11UD8AESA-6E-E ELPIDA 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA-4A-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA-5C-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGFA-6E-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格
EBE11UD8AGSA ELPIDA 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

获取价格

与EBE11UD8AESA-5C-E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证