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EBE11UD8AESA-5C-E

更新时间： 2024-02-24 06:42:09

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBE11UD8AESA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.16 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	3.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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EBE11UD8AESA

Pin Description

Pin name

Function

Address input

Row address

Column address

A0 to A13

A0 to A9

A10 (AP)

Auto precharge

BA0, BA1

Bank select address

Data input/output

DQ0 to DQ63

/RAS

Row address strobe command

Column address strobe command

Write enable

/CAS

/WE

/CS0, /CS1

Chip select

CKE0, CKE1

Clock enable

CK0, CK1

Clock input

/CK0, /CK1

Differential clock input

Input and output data strobe

Input mask

DQS0 to DQS7, /DQS0 to /DQS7

DM0 to DM7

SCL

Clock input for serial PD

Data input/output for serial PD

Serial address input

Power for internal circuit

Power for serial EEPROM

Input reference voltage

Ground

SDA

SA0, SA1

VDD

VDDSPD

VREF

VSS

ODT0, ODT1

ODT control

No connection

Data Sheet E0589E30 (Ver. 3.0)

1 2 345 6 7...22

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