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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11UD8AESA-5C-E
EBE11UD8AESA-5C-E PDF预览

EBE11UD8AESA-5C-E

更新时间： 2024-01-14 20:24:10
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 210K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBE11UD8AESA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：267 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N200
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：200
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM200,24
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.16 A
子类别：DRAMs最大压摆率：3.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：0.6 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE11UD8AESA-5C-E 数据手册

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EBE11UD8AESA  
-6E  
667  
-5C  
533  
min.  
-4A  
400  
min.  
Frequency (Mbps)  
Parameter  
Symbol min.  
max.  
max.  
max.  
Unit Notes  
Active bank A to active bank B  
command period  
tRRD  
tWR  
7.5  
15  
7.5  
15  
7.5  
15  
ns  
ns  
Write recovery time  
Auto precharge write recovery +  
precharge time  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
tDAL  
tCK  
ns  
1
Internal write to read command  
delay  
tWTR  
tRTP  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
10  
Internal read to precharge  
command delay  
7.5  
ns  
Exit self refresh to a non-read  
command  
tXSNR  
tRFC + 10  
tRFC + 10  
tRFC + 10  
ns  
Exit self refresh to a read command tXSRD  
200  
2
200  
2
200  
2
tCK  
tCK  
Exit precharge power down to any  
tXP  
non-read command  
Exit active power down to read  
command  
tXARD  
2
2
2
tCK  
3
Exit active power down to read  
command  
tXARDS 7− AL  
6 − AL  
6 − AL  
tCK 2, 3  
(slow exit/low power mode)  
CKE minimum pulse width (high  
and low pulse width)  
tCKE  
3
3
3
tCK  
ns  
Output impedance test driver delay tOIT  
0
12  
0
12  
0
12  
Auto refresh to active/auto refresh  
command time  
tRFC  
105  
105  
105  
ns  
Average periodic refresh interval  
tREFI  
7.8  
3.9  
7.8  
3.9  
7.8  
3.9  
µs  
µs  
(0°C ≤ TC ≤ +85°C)  
(+85°C < TC ≤ +95°C)  
tREFI  
Minimum time clocks remains ON  
after CKE asynchronously drops  
low  
tIS + tCK +  
tIH  
tIS + tCK +  
tIH  
tIS + tCK +  
tIH  
tDELAY  
ns  
Notes: 1. For each of the terms above, if not already an integer, round to the next higher integer.  
2. AL: Additive Latency.  
3. MRS A12 bit defines which active power down exit timing to be applied.  
4. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(AC) level for a rising signal and VIL(AC) for a falling signal applied to the device under test.  
5. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(DC) level for a rising signal and VIL(DC) for a falling signal applied to the device under test.  
CK  
DQS  
/CK  
/DQS  
tIS  
tIH  
tIS  
tIH  
tDS tDH  
tDS tDH  
VDDQ  
VDDQ  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
Input Waveform Timing 1 (tDS, tDH)  
Input Waveform Timing 2 (tIS, tIH)  
Data Sheet E0589E30 (Ver. 3.0)  
16  
1...13141516171819...22

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与EBE11UD8AESA-5C-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EBE11UD8AESA-6E-E ELPIDA

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 		1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
EBE11UD8AGFA ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
EBE11UD8AGFA-4A-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
EBE11UD8AGFA-5C-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
EBE11UD8AGFA-6E-E ELPIDA

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EBE11UD8AGUA ELPIDA

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