Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11UE6ACSA-8E-E

EBE11UE6ACSA-8E-E

更新时间： 2024-02-07 20:17:06

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
27页	287K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EBE11UE6ACSA-8E-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.08 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBE11UE6ACSA-8E-E 数据手册

浏览型号EBE11UE6ACSA-8E-E的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EBE11UE6ACSA-8E-E的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EBE11UE6ACSA-8E-E的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EBE11UE6ACSA-8E-E的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EBE11UE6ACSA-8E-E的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

EBE11UE6ACSA (128M words × 64 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 1GB

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

128M words × 64 bits, 2 ranks

prefetch pipelined architecture

• Mounting 8 pieces of 1G bits DDR2 SDRAM sealed

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

in FBGA

• Package: 200-pin socket type small outline dual in

line memory module (SO-DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 0.6mm

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 800Mbps/667Mbps (max.)

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_18

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Precharge: auto precharge option for each burst

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

access

operation

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1045E20 (Ver. 2.0)

Date Published December 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007

12 3 4 5 6 7...27

下载PDF

与EBE11UE6ACSA-8E-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBE11UE6ACSA-8G-E	ELPIDA	1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM	获取价格
EBE11UE6ACUA	ELPIDA	1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM	获取价格
EBE11UE6ACUA-6E-E	ELPIDA	1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM	获取价格
EBE11UE6ACUA-8E-E	ELPIDA	1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM	获取价格
EBE11UE6ACUA-8G-E	ELPIDA	1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM	获取价格
EBE15A	ADAM-TECH	EURO BLOCKS TS & EB SERIES	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBE11UE6ACSA-8E-E

EBE11UE6ACSA-8E-E 技术参数

EBE11UE6ACSA-8E-E 数据手册

与EBE11UE6ACSA-8E-E相关器件

与EBE11UE6ACSA-8E-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBE11UE6ACSA-8E-E

EBE11UE6ACSA-8E-E 技术参数

EBE11UE6ACSA-8E-E 数据手册

与EBE11UE6ACSA-8E-E相关器件

与EBE11UE6ACSA-8E-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？