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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11ED8AJWA-8G-E
EBE11ED8AJWA-8G-E PDF预览

EBE11ED8AJWA-8G-E

更新时间： 2024-01-08 00:47:26
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
29页 242K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE11ED8AJWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：400 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240JESD-609代码：e4
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：1.8 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：1 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBE11ED8AJWA-8G-E 数据手册

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EBE11ED8AJWA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
08H  
0EH  
0AH  
61H  
48H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
10  
2
72  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
-8E (CL = 5)  
9
0
0
1
0
0
1
0
1
25H  
2.5ns*1  
-8G (CL = 6)  
-6E (CL = 5)  
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
25H  
30H  
2.5ns*1  
3.0ns*1  
SDRAM access from clock (tAC)  
-8E, -8G  
10  
0
1
0
0
0
0
0
0
40H  
0.4ns*1  
-6E  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
45H  
02H  
82H  
08H  
08H  
00H  
0.45ns*1  
ECC  
7.8µs  
× 8  
11  
12  
13  
14  
15  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
× 8  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0CH  
04H  
4,8  
4
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
18  
0
0
1
1
1
0
0
0
38H  
3, 4, 5  
-8E, -6E  
-8G  
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
70H  
01H  
02H  
00H  
4, 5, 6  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
SDRAM module attributes  
4.00mm max.  
Unbuffered  
Normal  
Weak Driver 50Ω  
ODT Support  
22  
23  
SDRAM device attributes: General  
0
0
0
0
0
0
1
1
03H  
Minimum clock cycle time at CL = X − 1  
-8E, -6E (CL = 4)  
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
3DH  
30H  
3.75ns*1  
3.0ns*1  
-8G (CL = 5)  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = X − 1  
-8E, -6E (CL = 4)  
24  
25  
0
1
0
1
0
0
0
0
50H  
0.5ns*1  
-8G (CL = 5)  
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
45H  
50H  
3DH  
0.45ns*1  
5.0ns*1  
Minimum clock cycle time at CL = X − 2  
-8E, -6E (CL = 3)  
-8G (CL = 4)  
3.75ns*1  
Data Sheet E1054E30 (Ver. 3.0)  
5
12345678...29

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