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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11ED8AJWA-8G-E
EBE11ED8AJWA-8G-E PDF预览

EBE11ED8AJWA-8G-E

更新时间： 2024-01-06 21:45:04
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
29页 242K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE11ED8AJWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：400 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240JESD-609代码：e4
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：1.8 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：1 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBE11ED8AJWA-8G-E 数据手册

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EBE11ED8AJWA  
Block Diagram  
/CS1  
/CS0  
R
R
S1  
S1  
S1  
S1  
/DQS0  
DQS0  
DM0  
/DQS4  
DQS4  
DM4  
R
S1  
S1  
R
R
R
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
8
R
S1  
8
R
S1  
D0  
D9  
D4  
D13  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0 to DQ7  
/DQS1  
DQ32 to DQ39  
R
S1  
R
R
S1  
/DQS5  
DQS5  
DM5  
R
R
S1  
S1  
DQS1  
DM1  
S1  
R
S1  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
R
S1  
R
S1  
8
8
DQ0  
D1  
DQ8 to DQ15  
/DQS2  
DQ40 to DQ47  
/DQS6  
D10  
D5  
D14  
to DQ7  
to DQ7  
to DQ7  
to DQ7  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
R
S1  
R
S1  
S1  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DM6  
DM /CS DQS /DQS  
/DQS  
/DQS  
/DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
8
R
S1  
8
R
S1  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
D11  
D6  
D15  
D2  
DQ48 to DQ55  
/DQS7  
DQ16 to DQ23  
/DQS3  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
R
S1  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DM7  
S1  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
R
S1  
8
R
S1  
8
D3  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
D12  
D7  
D16  
DQ56 to DQ63  
/DQS8  
DQ24 to DQ31  
R
S1  
R
S2  
R
R
S1  
BA0 to BA1  
A0 to A13  
BA0 to BA1: SDRAMs (D0 to D17)  
A0 to A13: SDRAMs (D0 to D17)  
DQS8  
DM8  
R
S2  
S1  
R
R
R
S2  
S2  
S2  
/RAS  
/CAS  
/WE  
/RAS: SDRAMs (D0 to D17)  
/CAS: SDRAMs (D0 to D17)  
/WE: SDRAMs (D0 to D17)  
/DQS  
DM /CS DQS  
/DQS  
DM /CS DQS  
DQ0  
R
S1  
8
DQ0  
D8  
D17  
to DQ7  
CB0 to CB7  
to DQ7  
CKE0  
CKE1  
ODT0  
ODT1  
CKE: SDRAMs (D0 to D8)  
CKE: SDRAMs (D9 to D17)  
ODT:SDRAMs (D0 to D8)  
ODT:SDRAMs (D9 to D17)  
Serial PD  
SDA  
VDDSPD  
VREF  
SPD  
SCL  
SCL  
A0  
SDA  
SDRAMs (D0 to D17)  
SDRAMs (D0 to D17)  
SA0  
SA1  
SA2  
U0  
VDD  
A1  
VSS  
SDRAMs (D0 to D17)  
A2  
WP  
* D0 to D17 : 512M bits DDR2 SDRAM  
U0 : 2k bits EEPROM  
Notes :  
1. DQ wiring may be changed within a byte.  
Rs1 : 22  
Ω
2. DQ, DQS, /DQS, ODT, DM, CKE, /CS relationships  
must be meintained as shown.  
Rs2 : 7.5  
Ω
3. Refer to the appropriate clock wiring topology  
under the DIMM wiring details section of this document.  
Data Sheet E1054E30 (Ver. 3.0)  
8
1...567891011...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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