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EBE11ED8AJWA-8G-E

更新时间: 2024-02-11 08:07:36
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
29页 242K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE11ED8AJWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):400 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240JESD-609代码:e4
内存密度:9663676416 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:1.8 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE11ED8AJWA-8G-E 数据手册

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EBE11ED8AJWA  
Pin Description  
Pin name  
Function  
Address input  
Row address  
Column address  
A0 to A13  
A0 to A13  
A0 to A9  
A10 (AP)  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ63  
CB0 to CB7  
/RAS  
Auto precharge  
Bank select address  
Data input/output  
Check bit (Data input/output)  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
/CAS  
/WE  
/CS0, /CS1  
CKE0, CKE1  
CK0 to CK2  
/CK0 to /CK2  
DQS0 to DQS8, /DQS0 to /DQS8  
DM0 to DM8  
SCL  
Chip select  
Clock enable  
Clock input  
Differential clock input  
Input and output data strobe  
Input mask  
Clock input for serial PD  
Data input/output for serial PD  
Serial address input  
Power for internal circuit  
Power for serial EEPROM  
Input reference voltage  
Ground  
SDA  
SA0 to SA2  
VDD  
VDDSPD  
VREF  
VSS  
ODT0, ODT1  
NC  
ODT control  
No connection  
Data Sheet E1054E30 (Ver. 3.0)  
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