Datasheet > EBE10RE8ACFA-4A-E

EBE10RE8ACFA-4A-E

更新时间： 2024-02-20 23:52:04

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	256K
描述
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EBE10RE8ACFA-4A-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	内存密度：	9663676416 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.553 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	2.88 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBE10RE8ACFA-4A-E 数据手册

浏览型号EBE10RE8ACFA-4A-E的Datasheet PDF文件第23页

浏览型号EBE10RE8ACFA-4A-E的Datasheet PDF文件第24页

浏览型号EBE10RE8ACFA-4A-E的Datasheet PDF文件第25页

浏览型号EBE10RE8ACFA-4A-E的Datasheet PDF文件第27页

EBE10RE8ACFA

CKE (input pin)

CKE controls power down and self-refresh. The power down and the self-refresh commands are entered when the

CKE is driven low and exited when it resumes to high.

The CKE level must be kept for 1 CK cycle at least, that is, if CKE changes at the cross point of the CK rising edge

and the VREF level with proper setup time tIS, at the next CK rising edge CKE level must be kept with proper hold

time tIH.

DQ, CB (input and output pins)

Data are input to and output from these pins.

DQS (input and output pin)

DQS and /DQS provide the read data strobes (as output) and the write data strobes (as input).

DM (input pins)

DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and /DQS.

DM function will be disabled when RDQS (DQS9 toDQS17 and /DQS9 to /DQS17) function is enabled by EMRS.

VDD (power supply pins)

1.8V is applied. (VDD is for the internal circuit.)

VDDSPD (power supply pin)

1.8V is applied (For serial EEPROM).

VSS (power supply pin)

Ground is connected.

/RESET(input pin)

LVCMOS reset input. When /RESET is Low, all registers are reset.

Par_IN (Parity input pin)

Parity bit for the address and control bus.

/Err_Out (Error output pin)

Parity error found on the address and control bus.

Detailed Operation Part and Timing Waveforms

Refer to the EDE1104ACSE, EDE1108ACSE, EDE1116ACSE datasheet (E0975E). DIMM /CAS latency =

component CL + 1 for registered type.

Data Sheet E1075E20 (Ver.2.0)

1...23 24 252627 28 29

中文翻译

下载PDF

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EBE10RE8ACFA-5C-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
EBE10RE8ACFA-6E-E	ELPIDA	获取价格	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240
EBE10UE8ACFA	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACFA-6E-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACFA-8E-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACFA-8G-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACWA	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACWA-6E-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACWA-8E-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE10UE8ACWA-8G-E	ELPIDA	获取价格	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关文章

解读NE555P资料手册：电气参数、引脚功能及替换型号推荐
2024-06-11

1
AO3415资料解读：电气参数、替换型号推荐
2024-06-11

1
电阻上的数字意义及电阻值辨别方法
2024-06-11

2
金属氧化膜电阻器：定义、特点与深入解读
2024-06-11

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBE10RE8ACFA-4A-E

EBE10RE8ACFA-4A-E 技术参数

EBE10RE8ACFA-4A-E 数据手册

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关器件

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBE10RE8ACFA-4A-E

EBE10RE8ACFA-4A-E 技术参数

EBE10RE8ACFA-4A-E 数据手册

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关器件

与EBE10RE8ACFA-4A-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？