EBD52RC8AKFA-6B

更新时间： 2024-01-30 15:36:16

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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描述
512MB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD52RC8AKFA-6B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	235	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	3.77 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBD52RC8AKFA-6B 数据手册

EBD52RC8AKFA

DC Characteristics 1 (TA = 0 to +70°C, VDD = 2.5V ± 0.2V, VSS = 0V)

Parameter

Symbol

Grade

max.

1740

Unit

Test condition

Notes

1, 2, 9

CKE ≥ VIH,

tRC = tRC (min.)

Operating current (ACTV-PRE) IDD0

Operating current

IDD1

CKE ≥ VIH, BL = 4,

2010

444

1, 2, 5

(ACTV-READ-PRE)

CL = 3.5, tRC = tRC (min.)

Idle power down standby current IDD2P

CKE ≤ VIL

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH,

DQ, DQS, DM = VREF

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH,

DQ, DQS, DM = VREF

Floating idle standby current

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

840

4, 5

Quiet idle standby current

750

4, 10

Active power down standby

current

750

CKE ≤ VIL

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH

tRAS = tRAS (max.)

CKE ≥ VIH, BL = 2,

CL = 3.5

CKE ≥ VIH, BL = 2,

CL = 3.5

tRFC = tRFC (min.),

Input ≤ VIL or ≥ VIH

Active standby current

1380

2550

2415

444

3, 5, 6

1, 2, 5, 6

Operating current

(Burst read operation)

Operating current

(Burst write operation)

Auto refresh current

Input ≥ VDD – 0.2 V

Input ≤ 0.2 V

Self refresh current

IDD6

Operating current

(4 banks interleaving)

IDD7A

3765

BL = 4

5, 6, 7

Notes. 1. These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.

2. One bank operation.

3. One bank active.

4. All banks idle.

5. Command/Address transition once per one cycle.

6. DQ, DM and DQS transition twice per one clock cycle.

7. 4 banks active. Only one bank is running at tRC = tRC (min.)

8. The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.

9. Command/Address transition once every two clock cycles.

10. Command/Address stable at ≥ VIH or ≤ VIL.

DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS = 0V)

(DDR SDRAM component Specification)

Parameter

Symbol

ILI

min.

–2

max.

Unit

µA

Test condition

Notes

Input leakage current

Output leakage current

Output high current

Output low current

VDD ≥ VIN ≥ VSS

VDDQ ≥ VOUT ≥ VSS

VOUT = 1.95V

ILO

–5

µA

IOH

IOL

–15.2

15.2

—

VOUT = 0.35V

Preliminary Data Sheet E0375E10 (Ver. 1.0)

1...7 8 91011 12 13...18

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EBD52RC8AKFA-6B-E	ELPIDA	暂无描述	获取价格
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