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EBD52RC8AKFA-6B

更新时间: 2024-02-21 05:23:39
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
18页 178K
描述
512MB Registered DDR SDRAM DIMM

EBD52RC8AKFA-6B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184JESD-609代码:e0
内存密度:4831838208 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):235电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:3.77 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EBD52RC8AKFA-6B 数据手册

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EBD52RC8AKFA  
Block Diagram  
/RCS1  
/RCS0  
/CS  
/CS  
/CS  
/CS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DM0/DQS9  
DQS0  
DM4/DQS13  
DQS4  
DM  
DM  
DM  
DM  
DQS  
DQS  
DQS  
DQS  
D0  
D9  
D4  
D13  
8
8
8
8
8
8
8
8
8
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
DQ0 to DQ7  
DQ32 to DQ39  
/CS  
/CS  
/CS  
/CS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DM1/DQS10  
DQS1  
DM5/DQS14  
DQS5  
DM  
DM  
DM  
DM  
DQS  
DQS  
DQS  
DQS  
D1  
D10  
D5  
D14  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
DQ8 to DQ15  
DQ40 to DQ47  
/CS  
/CS  
/CS  
/CS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DM2/DQS11  
DQS2  
DM6/DQS15  
DQS6  
DM  
DM  
DM  
DM  
DQS  
DQS  
DQS  
DQS  
D2  
D11  
D6  
D15  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
DQ16 to DQ23  
DQ48 to DQ55  
/CS  
/CS  
/CS  
/CS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DM3/DQS12  
DQS3  
DM7/DQS16  
DQS7  
DM  
DM  
DM  
DM  
DQS  
DQS  
DQS  
DQS  
D3  
D12  
D7  
D16  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
DQ24 to DQ31  
DQ56 to DQ63  
* D0 to D17: 256M bits DDR SDRAM  
U0: 2k bits EEPROM  
RS: 22Ω  
PLL: CDCV857  
Register: SSTV16857  
/CS  
/CS  
RS  
RS  
RS  
DM8/DQS17  
DQS8  
DM  
DM  
DQS  
DQS  
D8  
D17  
Serial PD  
I/O0 to  
I/O7  
I/O0 to  
I/O7  
SCL  
SCL  
A0  
CB0 to CB7  
SDA  
SDA  
U0  
A1  
A2  
R
S
S
S
S
S
S
S
S
/CS0  
/CS1  
/RCS0 -> /CS: SDRAMs D0 to D8  
/RCS1 -> /CS: SDRAMs D9 to D17  
SA0 SA1 SA2  
R
R
R
R
R
R
R
Notes:  
R
1. The SDA pull-up resistor is required due to  
the open-drain/open-collector output.  
2. The SCL pull-up resistor is recommended  
because of the normal SCL line inacitve  
"high" state.  
BA0 to BA1  
A0 to A12  
/RAS  
RBA0 to RBA1 -> BA0 to BA1: SDRAMs D0 to D17  
RA0 to RA12 -> A0 to A12: SDRAMs D0 to D17  
/RRAS -> /RAS: SDRAMs D0 to D17  
/RCAS -> /CAS: SDRAMs D0 to D17  
RCKE0 -> CKE: SDRAMs D0 to D8  
E
G
I
S
T
E
R
/CAS  
CKE0  
CKE1  
RCKE1 -> CKE: SDRAMs D9 to D17  
/RWE -> /WE: SDRAMs D0 to D17  
R
S
/WE  
PCK  
/PCK  
/RESET  
VDD  
D0 to D17  
VREF  
VSS  
D0 to D17  
D0 to D17  
VDDID  
open  
CK0, /CK0  
PLL*  
Note: Wire per Clock loading table/Wiring diagrams.  
Preliminary Data Sheet E0375E10 (Ver. 1.0)  
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