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EBD21RD4ABNA-10 PDF预览

EBD21RD4ABNA-10

更新时间： 2024-01-19 09:15:00
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 176K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ABNA-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.8 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：19327352832 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.42 A子类别：DRAMs
最大压摆率：7.24 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD21RD4ABNA-10 数据手册

 浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBD21RD4ABNA-10的Datasheet PDF文件第9页 
EBD21RD4ABNA  
Byte No. Function described  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
45ns  
30  
0
0
1
0
1
1
0
1
2DH  
-7A, -7B  
-10  
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
1
32H  
01H  
50ns  
2 banks  
1GB  
31  
32  
Module bank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-7A, -7B  
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
90H  
B0H  
90H  
B0H  
50H  
0.9ns*3  
1.1ns*3  
0.9ns*3  
1.1ns*3  
0.5ns*3  
-10  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-7A, -7B  
33  
-10  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-7A, -7B  
34  
35  
-10  
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
50H  
0.6ns*3  
0.5ns*3  
Data input hold time after clock (tDH)  
-7A, -7B  
-10  
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
00H  
0.6ns*3  
36 to 40  
41  
Superset information  
Future use  
Active command period (tRC)  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
43H  
46H  
67.5ns*3  
70ns*3  
-10  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-7A, -7B  
42  
0
1
0
0
1
0
1
1
4BH  
75ns*3  
-10  
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
30H  
80ns*3  
12ns*3  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-7A, -7B  
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
32H  
3CH  
75H  
500ps*3  
600ps*3  
750ps*3  
-10  
Data hold skew (tQHS)  
-7A, -7B  
45  
-10  
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
A0H  
00H  
00H  
1000ps*3  
Future use  
Initial  
46 to 61  
62  
Superset information  
SPD revision  
Checksum for bytes 0 to 62  
-7A  
63  
1
0
0
0
1
1
0
1
8DH  
141  
-7B  
1
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
B8H  
9BH  
7FH  
7FH  
FEH  
00H  
184  
155  
-10  
64  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
65  
66  
Elpida Memory  
67 to 71  
*2 (ASCII-8bit  
code)  
72  
Manufacturing location  
×
×
×
×
×
×
×
×
××  
73  
74  
75  
76  
Module part number  
Module part number  
Module part number  
Module part number  
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
45H  
42H  
44H  
32H  
E
B
D
2
Preliminary Data Sheet E0273E20 (Ver. 2.0)  
6
1...3456789...19

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与EBD21RD4ABNA-10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD21RD4ABNA-7A ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ABNA-7B ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ADNA ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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EBD21RD4ADNA-6B ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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