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EBD21RD4ABNA-10

更新时间： 2024-01-04 20:19:51

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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19页	176K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ABNA-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	19327352832 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.42 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	7.24 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBD21RD4ABNA-10 数据手册

EBD21RD4ABNA

Pin Description

Pin name

Function

Address input

Row address

A0 to A12

Column address

A0 to A9, A11, A12

BA0, BA1

Bank select address

Data input/output

DQ0 to DQ63

CB0 to CB7

Check bit (Data input/output)

Row address strobe command

Column address strobe command

Write enable

/RAS

/CAS

/WE

/CS0, /CS1

Chip select

CKE0, CKE1

Clock enable

CK0

Clock input

/CK0

Differential clock input

Input and output data strobe

Clock input for serial PD

Data input/output for serial PD

Serial address input

DQS0 to DQS8

DM0 to DM8/DQS9 to DQS17

SCL

SDA

SA0 to SA2

VDD

Power for internal circuit

Power for DQ circuit

VDDQ

VDDSPD

VREF

VSS

Power for serial EEPROM

Input reference voltage

Ground

VDDID

/RESET

VDD identification flag

Reset pin (forces register inputs low)

No connection

Preliminary Data Sheet E0273E20 (Ver. 2.0)

1 2 345 6 7...19

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