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EBD21RD4ABNA-10

更新时间: 2024-01-03 08:17:12
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 176K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM

EBD21RD4ABNA-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:19327352832 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.42 A子类别:DRAMs
最大压摆率:7.24 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBD21RD4ABNA-10 数据手册

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EBD21RD4ABNA  
Pin No.  
29  
Pin name  
A7  
Pin No.  
75  
Pin name  
NC  
Pin No.  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
Pin name  
DQ22  
A8  
Pin No.  
167  
168  
169  
170  
171  
172  
173  
174  
175  
176  
177  
178  
179  
180  
181  
182  
183  
184  
Pin name  
NC  
30  
VDDQ  
DQ19  
A5  
76  
NC  
VDD  
31  
77  
VDDQ  
DQS6  
DQ50  
DQ51  
VSS  
DQ23  
VSS  
DM6/DQS15  
DQ54  
DQ55  
VDDQ  
NC  
32  
78  
33  
DQ24  
VSS  
DQ25  
DQS3  
A4  
79  
A6  
34  
80  
DQ28  
DQ29  
VDDQ  
DM3/DQS12  
A3  
35  
81  
36  
82  
VDDID  
DQ56  
DQ57  
VDD  
DQ60  
DQ61  
VSS  
37  
83  
38  
VDD  
DQ26  
DQ27  
A2  
84  
39  
85  
DQ30  
VSS  
DM7/DQS16  
DQ62  
DQ63  
VDDQ  
SA0  
40  
86  
DQS7  
DQ58  
DQ59  
VSS  
41  
87  
DQ31  
CB4  
42  
VSS  
A1  
88  
43  
89  
CB5  
44  
CB0  
90  
NC  
VDDQ  
CK0  
SA1  
45  
CB1  
91  
SDA  
SA2  
46  
VDD  
92  
SCL  
/CK0  
VDDSPD  
Preliminary Data Sheet E0273E20 (Ver. 2.0)  
3

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