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EBD11UD8ADFB-6B-E

更新时间: 2024-02-07 18:28:03
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 187K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

EBD11UD8ADFB-6B-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N184JESD-609代码:e4
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Gold (Au)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:50Base Number Matches:1

EBD11UD8ADFB-6B-E 数据手册

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EBD11UD8ADFB  
DM (input pins)  
DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and VREF  
VDD (power supply pins)  
2.5V is applied. (VDD is for the internal circuit.)  
VDDSPD (power supply pin)  
2.5V is applied (For serial EEPROM).  
VSS (power supply pin)  
Ground is connected.  
Detailed Operation Part and Timing Waveforms  
Refer to the EDD5104ADTA, EDD5108ADTA, EDD5116ADTA datasheet (E0384E).  
Data Sheet E0414E20 (Ver. 2.0)  
16  

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