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Datasheet > 存储 > DRAM> EBD11UD8ABFB-7A
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EBD11UD8ABFB-7A

更新时间： 2024-01-27 03:30:38
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 207K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11UD8ABFB-7A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.048 A子类别：DRAMs
最大压摆率：4.32 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD11UD8ABFB-7A 数据手册

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EBD11UD8ABFB  
Electrical Specifications  
• All voltages are referenced to VSS (GND).  
• After power up, wait more than 200 µs and then, execute power on sequence and auto refresh before proper  
device operation is achieved.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Note  
Voltage on any pin relative to VSS  
Supply voltage relative to VSS  
Short circuit output current  
Power dissipation  
VT  
–0.5 to +3.6  
–0.5 to +3.6  
50  
VDD, VDDQ  
V
IO  
mA  
W
PD  
TA  
16  
Operating temperature  
0 to +70  
–55 to +125  
°C  
°C  
1
Storage temperature  
Tstg  
Note: DDR SDRAM device specification.  
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause  
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits  
described in the operational section of this specification Exposure to Absolute Maximum Rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
DC Operating Conditions (TA = 0 to +70°C) (DDR SDRAM Device Specification)  
Parameter  
Symbol  
VDD,VDDQ  
VSS  
Min  
Typ  
2.5  
0
Max  
2.7  
0
Unit  
V
Notes  
1
Supply voltage  
2.3  
0
V
Input reference voltage  
Termination voltage  
Input high voltage  
Input low voltage  
VREF  
0.49 × VDDQ  
VREF – 0.04  
VREF + 0.15  
–0.3  
0.50 × VDDQ 0.51 × VDDQ  
V
VTT  
VREF  
—
VREF + 0.04  
VDDQ + 0.3  
VREF – 0.15  
V
VIH (DC)  
VIL (DC)  
V
2
3
—
V
Input voltage level,  
VIN (DC)  
VIX (DC)  
VID (DC)  
–0.3  
—
VDDQ + 0.3  
V
V
V
4
CK and /CK inputs  
Input differential cross point  
voltage, CK and /CK inputs  
Input differential voltage,  
CK and /CK inputs  
0.5 × VDDQ − 0.2V 0.5 × VDDQ  
0.36  
0.5 × VDDQ + 0.2V  
VDDQ + 0.6  
—
5, 6  
Notes: 1.VDDQ must be lower than or equal to VDD.  
2. VIH is allowed to exceed VDD up to 3.6V for the period shorter than or equal to 5ns.  
3. VIL is allowed to outreach below VSS down to –1.0V for the period shorter than or equal to 5ns.  
4. VIN (DC) specifies the allowable dc execution of each differential input.  
5. VID (dc) specifies the input differential voltage required for switching.  
6. VIH (CK) min assumed over VREF + 0.18V, VIL (CK) max assumed under VREF – 0.18V  
if measurement.  
Preliminary Data Sheet E0296E20 (Ver. 2.0)  
10  
1...78910111213...19

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与EBD11UD8ABFB-7A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EBD11UD8ABFB-7B ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM
EBD11UD8ADDA ELPIDA

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 		1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
EBD11UD8ADDA-6B ELPIDA

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 		1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
EBD11UD8ADDA-6B-E ELPIDA

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 		1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
EBD11UD8ADDA-7A ELPIDA

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 		1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
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