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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM184 |
| 针数： | 184 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.75 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 | 内存密度： | 9663676416 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 72 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 184 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX72 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM184 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.454 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 7.78 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EBD10RD4ADFA-7B | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) |
|
| EBD10RD4ADFA-7B-E | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) |
|
| EBD10RD4ADFA-E | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Registered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 1 Rank) |
|
| EBD11ED8ABFA | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM |
|
| EBD11ED8ABFA-7A | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM |
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| EBD11ED8ABFA-7B | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM |
|
| EBD11ED8ABFB | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 |
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| EBD11ED8ABFB-6B | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 |
|
| EBD11ED8ABFB-7A | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 |
|
| EBD11ED8ABFB-7B | ELPIDA |
获取价格 |
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1 |
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