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E28F400BL-T150 PDF预览

E28F400BL-T150

更新时间： 2024-11-30 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存
页数 文件大小 规格书
44页 497K
描述
4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

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E28F400BL-T150 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.83最长访问时间：150 ns
其他特性：DEEP POWER-DOWN; TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：16
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,3端子数量：56
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,96K,128K
最大待机电流：0.0000012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

E28F400BL-T150 数据手册

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4-MBlT (256K x 16, 512K x 8)  
LOW-POWER BOOT BLOCK  
FLASH MEMORY FAMILY  
28F400BL-T/B, 28F004BL-T/B  
Y
Y
Low Voltage Operation for Very  
Low-Power Portable Applications  
SRAM-Compatible Write Interface  
Automatic Power Savings Feature  
Y
Y
e
e
Ð V  
Ð V  
3.0V–3.6V Read  
3.15V–3.6V Program/Erase  
CC  
CC  
Ð 0.8 mA typical I  
Static Operation  
Active Current in  
CC  
Y
Y
Expanded Temperature Range  
b
Very High-Performance Read  
Ð 150 ns Maximum Access Time  
Ð 65 ns Maximum Output Enable Time  
a
20 C to 70 C  
Ð
§
§
x8/x16 Input/Output Architecture  
Ð 28F400BL-T, 28F400BL-B  
Ð For High Performance and High  
Integration 16-bit and 32-bit CPUs  
Y
Y
Low Power Consumption  
Ð 15 mA Typical Active Read Current  
Reset/Deep Power-Down Input:  
Y
x8-only Input/Output Architecture  
Ð 28F004BL-T, 28F004BL-B  
Ð For Space Constrained 8-bit  
Applications  
Ð 0.2 mA I  
Typical  
Ð Acts as Reset for Boot Operations  
CC  
Y
Y
Write Protection for Boot Block  
Hardware Data Protection Feature  
Ð Erase/Write Lockout During Power  
Transitions  
Y
Y
Upgradeable to Intel’s SmartVoltage  
Products  
Optimized High Density Blocked  
Architecture  
Ð One 16-KB Protected Boot Block  
Ð Two 8-KB Parameter Blocks  
Ð One 96-KB Main Block  
Y
Industry Standard Surface Mount  
Packaging  
Ð 28F400BL: JEDEC ROM  
Compatible  
44-Lead PSOP  
Ð Three 128-KB Main Blocks  
Ð Top or Bottom Boot Locations  
56-Lead TSOP  
Ð 28F004BL: 40-Lead TSOP  
Y
Y
Extended Cycling Capability  
Ð 10,000 Block Erase Cycles  
Y
Y
12V Word/Byte Write and Block Erase  
e
g
12V 5% Standard  
Ð V  
PP  
Automated Word/Byte Write and Block  
Erase  
Ð Command User Interface  
Ð Status Registers  
Ð Erase Suspend Capability  
ETOXTM III Flash Technology  
Ð 3.3V Read  
*Other brands and names are the property of their respective owners.  
Information in this document is provided in connection with Intel products. Intel assumes no liability whatsoever, including infringement of any patent or  
copyright, for sale and use of Intel products except as provided in Intel’s Terms and Conditions of Sale for such products. Intel retains the right to make  
changes to these specifications at any time, without notice. Microcomputer Products may have minor variations to this specification known as errata.  
©
COPYRIGHT INTEL CORPORATION, 1995  
November 1995  
Order Number: 290450-005  
1234567...44

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