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E28F400BVT60

更新时间： 2024-09-26 22:49:11
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
57页 655K
描述
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

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E28F400BVT60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：20 X 14 MM, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.77Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：ALSO OPERATES WITH 4.5V-5.5V SUPPLY, TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：NO
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：56字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3/5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified部门规模：16K,8K,96K,128K
最大待机电流：0.000008 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.065 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

E28F400BVT60 数据手册

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PRELIMINARY  
E
4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)  
SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH  
MEMORY FAMILY  
28F400BV-T/B, 28F400CV-T/B, 28F004BV-T/B  
28F400CE-T/B, 28F004BE-T/B  
Intel SmartVoltage Technology  
5V or 12V Program/Erase  
Extended Temperature Operation  
–40°C to +85°C  
2.7V, 3.3V or 5V Read Operation  
Increased Programming Throughput  
at 12V VPP  
Extended Cycling Capability  
100,000 Block Erase Cycles  
(Commercial Temperature)  
10,000 Block Erase Cycles  
(Extended Temperature)  
Very High-Performance Read  
5V: 60/80/120 ns Max. Access Time,  
30/40 ns Max. Output Enable Time  
3V: 110/150/180 ns Max Access  
65/90 ns Max. Output Enable Time  
2.7V: 120 ns Max Access 65 ns Max.  
Output Enable Time  
Automated Word/Byte Program and  
Block Erase  
Industry-Standard Command User  
Interface  
Status Registers  
Low Power Consumption  
Max 60 mA Read Current at 5V  
Max 30 mA Read Current at  
2.7V–3.6V  
Erase Suspend Capability  
SRAM-Compatible Write Interface  
Automatic Power Savings Feature  
1 mA Typical ICC Active Current in  
Static Operation  
x8/x16-Selectable Input/Output Bus  
28F400 for High Performance 16- or  
32-bit CPUs  
Reset/Deep Power-Down Input  
0.2 µA ICCTypical  
x8-Only Input/Output Architecture  
28F004B for Space-Constrained  
8-bit Applications  
Provides Reset for Boot Operations  
Hardware Data Protection Feature  
Write Lockout during Power  
Transitions  
Optimized Array Blocking Architecture  
One 16-KB Protected Boot Block  
Two 8-KB Parameter Blocks  
One 96-KB Main Block  
Industry-Standard Surface Mount  
Packaging  
40-Lead TSOP  
44-Lead PSOP: JEDEC ROM  
Compatible  
48-Lead TSOP  
56-Lead TSOP  
Three 128-KB Main Blocks  
Top or Bottom Boot Locations  
Absolute Hardware-Protection for Boot  
Block  
Software EEPROM Emulation with  
Parameter Blocks  
Footprint Upgradeable from 2-Mbit and  
to 8-Mbit Boot Block Flash Memories  
ETOX™ IV Flash Technology  
July 1997  
Order Number: 290530-005  
1234567...57

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E28F400BVT60 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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