5秒后页面跳转
E2160W1EN1S PDF预览

E2160W1EN1S

更新时间: 2024-11-09 10:11:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

E2160W1EN1S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XXMA-XReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
应用:GENERAL PURPOSE配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

E2160W1EN1S 数据手册

 浏览型号E2160W1EN1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号E2160W1EN1S的Datasheet PDF文件第3页 

与E2160W1EN1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
E2160W1FB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1FBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1FC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1FN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1TB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1TBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1TC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160W1TN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
E2160X1EB1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
E2160X1EBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,