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E0C60A08

更新时间： 2024-02-04 01:18:39
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 微控制器
页数 文件大小 规格书
11页 107K
描述
Microcontroller

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E0C60A08 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP,针数：100
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.84具有ADC：NO
其他特性：DEVICE IS ALSO AVAILABLE IN A 100 PIN QFP5 PACKAGE; OPERATES WITH -3V SUPPLY地址总线宽度：
位大小：4最大时钟频率：0.6 MHz
DAC 通道：NODMA 通道：NO
外部数据总线宽度：JESD-30 代码：S-PQFP-G100
长度：14 mmI/O 线路数量：25
端子数量：100最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °CPWM 通道：NO
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：Not QualifiedROM可编程性：MROM
座面最大高度：1.7 mm速度：0.6 MHz
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
宽度：14 mmuPs/uCs/外围集成电路类型：MICROCONTROLLER
Base Number Matches：1

E0C60A08 数据手册

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E0C6008  
● Oscillation Characteristics  
Oscillation characteristics will vary according to different conditions (elements used, boad pattern). Use the following char-  
acteristics are as reference values.  
E0C6008 (OSC1 Crystal Oscillation)  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, Crystal: C-002R (CI=35kΩ), CG=25pF, CD=built-in, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation stop voltage  
Built-in capacitance (drain)  
Frequency/voltage deviation  
Frequency/IC deviation  
Frequency adjustment range  
Symbol  
Vsta  
Vstp  
Condition  
Min.  
-1.8  
-1.8  
Typ.  
Max. Unit  
(
)
t
t
sta≤5sec VSS  
V
V
pF  
(
)
stp≤10sec VSS  
CD  
Including the parasitic capacitance inside the chip  
20  
∆f/∆V  
∆f/∆IC  
V
SS=-1.8 to -3.5V  
5
10  
ppm  
ppm  
ppm  
V
-10  
35  
∆f/∆C  
G
C
G
=5 to 25pF  
45  
(
V
)
Harmonic oscillation start voltage Vhho  
Permitted leak resistance  
SS  
-3.5  
Rleak  
Between OSC1 and VDD  
200  
MΩ  
E0C60L08 (OSC1 Crystal Oscillation)  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-1.5V, Crystal: C-002R (CI=35kΩ), CG=25pF, CD=built-in, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation stop voltage  
Symbol  
Vsta  
Vstp  
Condition  
Min.  
-1.1  
-1.1  
Typ.  
Max. Unit  
(
)
t
t
sta≤5sec VSS  
V
V
(
)
stp≤10sec VSS  
1
(-0.9)  
Built-in capacitance (drain)  
Frequency/voltage deviation  
Frequency/IC deviation  
Frequency adjustment range  
Harmonic oscillation start voltage Vhho  
Permitted leak resistance  
C
∆f/∆V  
∆f/∆IC  
∆f/∆CG CG=5 to 25pF  
D
Including the parasitic capacitance inside the chip  
20  
45  
pF  
1
VSS=-1.1 (-0.9) to -1.7V  
5
10  
ppm  
ppm  
ppm  
V
-10  
35  
(
V
)
SS  
-1.7  
Rleak  
Between OSC1 and VDD  
200  
MΩ  
1: Parentheses indicate value for operation in heavy load protection mode.  
E0C60A08 (OSC1 Crystal Oscillation)  
Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, Crystal: C-002R (CI=35kΩ), CG=25pF, CD=built-in, Ta=25°C  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation stop voltage  
Built-in capacitance (drain)  
Frequency/voltage deviation  
Frequency/IC deviation  
Frequency adjustment range  
Symbol  
Vsta  
Vstp  
Condition  
Min.  
-2.2  
-2.2  
Typ.  
Max. Unit  
(
)
t
t
sta≤5sec VSS  
V
V
pF  
(
)
stp≤10sec VSS  
CD  
Including the parasitic capacitance inside the chip  
20  
∆f/∆V  
∆f/∆IC  
V
SS=-2.2 to -3.5V  
5
10  
ppm  
ppm  
ppm  
V
-10  
35  
∆f/∆C  
G
C
G
=5 to 25pF  
45  
(
V
)
Harmonic oscillation start voltage Vhho  
Permitted leak resistance  
SS  
-3.5  
Rleak  
Between OSC1 and VDD  
200  
MΩ  
E0C60A08 (OSC3 CR Oscillation)  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, RCR=82kΩ, Ta=25°C)  
Condition Min. Typ. Max. Unit  
Characteristic  
Oscillation frequency dispersion  
Oscillation start voltage  
Oscillation start time  
Symbol  
fOSC3  
-30 480kHz 30  
-2.2  
%
V
Vsta (VSS  
sta SS=-2.2 to -3.5V  
Vstp (VSS  
)
t
V
3
msec  
V
Oscillation stop voltage  
)
-2.2  
E0C60A08 (OSC3 Ceramic Oscillation)  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, Ceramic oscillator: 500kHz, CGC=CDC=100pF, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation start time  
Symbol  
Vsta (VSS  
Condition  
Min.  
-2.2  
Typ.  
Max. Unit  
V
)
t
sta  
V
SS=-2.2 to -3.5V  
5
msec  
V
Oscillation stop voltage  
Vstp (VSS  
)
-2.2  
10  
1...7891011

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