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DTD133HKT146 PDF预览

DTD133HKT146

更新时间： 2024-11-16 21:14:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN

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DTD133HKT146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

DTD133HKT146 数据手册

 浏览型号DTD133HKT146的Datasheet PDF文件第2页 
DTD133H  
Transistors  
Digital transistors (Includes resistors)  
DTD133H  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) A built-in bias resistor allows inverter circuit configuration  
without external resistors for input (see equivalent circuit  
diagram).  
DTD133HK  
2) The bias resistor consists of a thin-film resistor which is  
completely isolated, providing the capability to negative-bias the  
input, and avoiding parasitic effects.  
1.6  
2.8  
3) Operation starts by simply setting On/Off conditions, simplifying  
the design of equipment using the transistors.  
4) High packing density.  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
DTD133HS  
Supply voltage  
V
CC  
4
2
Input voltage  
V
I
−6~+20  
500  
V
Output current  
I
C
mA  
DTD133HK  
DTD133HS  
200  
Power  
dissipation  
Pd  
mW  
0.45  
300  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
0.45  
2.5 0.5  
5
2
( )  
1
(
)
(
)
3
Taping specifications  
(1) GND  
(2) OUT  
(3) IN  
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
!Equivalent circuit  
!Package, marking, and packaging specifications  
Part No.  
Package  
Marking  
DTD133HK  
SMT3  
G08  
DTD133HS  
R1  
OUT  
IN  
SPT  
-
R2  
GND  
OUT  
Packaging code  
Basic ordering unit (pieces)  
T146  
3000  
TP  
5000  
IN  
GND  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
−
2.0  
−
−
−
56  
−
2.4  
−
Typ.  
Max.  
0.5  
−
0.3  
2.4  
0.5  
−
−
3.7  
−
Unit  
V
Conditions  
−
−
0.1  
−
−
−
3.3  
3.0  
200  
V
V
I(off)  
I(on)  
V
CC=5V , I =100µA  
O
Input voltage  
V
VO  
=0.3V , I  
=50mA , I  
=5V  
O
=20mA  
=2.5mA  
Output voltage  
V
O(on)  
V
I
O
I
Input current  
I
I
mA  
µA  
−
kΩ  
−
V
I
Output current  
I
O(off)  
VCC=50V , V  
I
=0V  
=5V  
DC current gain  
G
I
I
O
=50mA , V  
O
Input resistance  
R1  
−
−
Resistance ratio  
Transition frequency  
Transition frequency of the device.  
R
2
/R  
1
f
T
VCE=10V , I  
E
=−5mA , f=100MHz  
∗
MHz  
∗
1/2  
12

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DTD133HKT146 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTD133HC-7-F DIODES

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN,
DTD113ZS ROHM

功能相似

 Digital transistors (built-in resistors)

与DTD133HKT146相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTD133HL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
DTD133HLTL2 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3
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 		Digital transistors (built-in resistors)
DTD143E UTC

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 		DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN RESISTORS)

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